Memória RAM Kingston 8GB DDR4 2666MHz CL19 KVR26N19S8/8
Características:
- Tensão de operação: VDD = 1,2V Típico
- VDDQ = 1,2 V Típico
- VPP = 2.5V Típico
- VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V
- Terminação nominal e dinâmica no DIE (ODT) para sinais de dados, luz e máscara
- Auto-atualização de baixa potência (LPASR)
- Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados
- Geração e calibração VREFDQ no DIE
- Single Rank
- EEPROM de detecção de presença serial (SPD) on-board I2
- Burst chop fixo (BC) de 4 e comprimento de Burst (BL) de 8 através do conjunto registradores de modo (MRS)
- BC4 ou BL8 selecionáveis em tempo real (OTF)
- Topologia fly-by
- Comando de controle e barramento de endereços com terminação
- PCB: Altura 1,23” (31,25 mm)
- Em conformidade com RoHS e sem halogênios
Especificações:
- CL (IDD) – 19 ciclos
- Row Cycle Time (tRCmin) – 45,75ns (min.)
- Refresh to Active / Refresh Command Time (tRFCmin) 350ns (min.)
- Row Active Time (tRASmin) – 32ns (min.)
- Potência Máxima de Operação – TBD W*
- Classificação UL 94 V - 0
- Temperatura de operação – 0ºC a +85ºC
- Temperatura de armazenamento - -55ºC a + 100ºC